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NTK3139P
TYPICAL CHARACTERISTICS
150
120
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
V DD = ? 10 V
I D = ? 200 mA
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
90
60
10
t f
t d(on)
t r
30
C oss
0
0
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
10
100
? DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
2.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
150 ° C
1.5
1.0
V GS = 0 V
125 ° C
25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.5
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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